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文章名: 以SnO_2为支持体的~(68)Ge-~(68)Ga发生器的研究 相似文档      全文下载
作者: 作者
期刊名: 同位素
卷期:
发表时间:
下载网址: www.tws.org.cn/qikan/manage/wenzhang/TWSZ702005.pdf
关键词: SnO_2
摘要:
研究了六种SnO2对68Ge和68Ga的吸附性能。以性能较好的一种为支持体制备68Ge-68Ga发生器,并观察了淋洗条件对其性能的影响。以1.0mol/LHCl为淋洗剂,所得4.0mL淋洗剂中68Ga的收率可达60%,68Ge漏穿小于0.04%,且95%可被洗下的68Ga集中在前3.0mL淋洗液中。
参考文献:  
 
 
 
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